Introduzzjoni tal-Prodott
Karbur tas-silikon aħdar għall-elettronika u l-optoelettronikaminħabba l-effiċjenza ta 'frekwenza għolja tagħha, telf baxx, u reżistenza għar-radjazzjoni, li jagħmilha adattata għall-użu f'apparati RF u apparati semikondutturi tal-enerġija.
Barra minn hekk, meta niġu għall-karbur tas-silikon aħdar għall-elettronika u l-optoelettronika, se jiġi applikat ukoll fil-qasam ottiku bħala materjal bażi għal apparati optoelettroniċi u apparati ta 'komunikazzjoni ottika.
Fil-qosor, bl-iżvilupp u l-iterazzjoni tat-teknoloġija,karbur tas-silikon aħdar għall-elettronika u l-optoelettronikase jsir ukoll wieħed mill-materjali prinċipali indispensabbli għall-ġenerazzjoni l-ġdida tat-teknoloġija.
Parametru tal-Prodott (Speċifikazzjoni)
|
SiC |
Fe₂O₃ |
F.C |
|
Iktar minn jew ugwali għal 99.0% |
Inqas minn jew ugwali għal 0.70% |
Inqas minn jew ugwali għal 0.25% |
|
SiO₂ |
Si |
Karbonju |
|
Inqas minn jew ugwali għal 0.20% |
69.35%-70.00% |
29.70%-29.90% |
|
Densità Vera |
Punt tat-tidwib |
HM |
|
3.20-3.25g/㎝³ |
2600-2730 grad |
9.2-9.5 |
|
Dijagramma tad-distribuzzjoni tad-daqs tal-partiċelli |
|||||
|
Il-prodott jikkonforma mal-istandards nazzjonali.:GBT2480-2008 |
|||||
|
Distribuzzjoni tal-qamħ |
L-aktar goff ħbub |
L-aktar oħxon ħbub |
Distribuzzjoni tal-qamħ |
L-aktar goff ħbub |
L-aktar oħxon ħbub |
|
100% għaddew mill-iskrinjar |
ta' ċelluli li ma jgħaddux mill-għarbiel bil-piż % Inqas minn jew ugwali għal |
100% għaddew mill-iskrinjar |
ta' ċelluli li ma jgħaddux mill-għarbiel bil-piż % Inqas minn jew ugwali għal |
||
|
10# |
6 |
8/20 |
70# |
32 |
34/20 |
|
12# |
7 |
8/20 |
80# |
34 |
36/20 |
|
14# |
8 |
12/20 |
90# |
36 |
38/20 |
|
16# |
10 |
14/20 |
100# |
38 |
40/20 |
|
20# |
12 |
16/20 |
120# |
40 |
42/20 |
|
24# |
16 |
20/20 |
150# |
42 |
44/20 |
|
30# |
18 |
22/20 |
180 # |
44 |
46/20 |
|
46# |
26 |
28/20 |
220# |
46 |
48/20 |
|
60# |
30 |
32/20 |
240# |
48 |
50/20 |
Iffoka fuq il-Prodott
Iffoka fuq il-produzzjoni tal-prodott u s-servizz tal-konsumatur.
Karbur tas-silikon aħdar għall-elettronika u l-optoelettronikahuwa komunement użat fl-oqsma tal-elettronika għal invertituri ġodda ta 'vetturi tal-enerġija u invertituri fotovoltajċi. Madankollu, l-apparati RF huma l-aktar amplifikaturi tal-qawwa RF, li huma wkoll adattati għall-ambjenti tal-ispazju jew tar-radjazzjoni minħabba r-reżistenza għat-temperatura għolja eċċellenti tagħhom u r-reżistenza għar-radjazzjoni. Ħafna drabi tintuża fil-qasam tal-optoelectronics għal ditekters ultravjola, dajowds li jarmu dawl ultravjola profond-, u applikazzjonijiet oħra.
Twassil, Tbaħħir u Notifika
- Produzzjoni professjonali, sinċiera man-nies.
- Appoġġ servizzi personalizzati globali.
- Servizz ta' wara l--bejgħ bla tħassib.
FAQ
Karbur tas-silikon aħdar għall-elettronika u l-optoelettronikahuwa prodott ta' materja prima li jista' jnaqqas l-ispejjeż tal-apparat unitarju, itejjeb l-effiċjenza, u jippromwovi benefiċċji transkonfinali-. Il-proprjetajiet fiżiċi u kimiċi eċċellenti tiegħu wkoll għamlu l-karbur tas-silikon jinkisru minn materjali tradizzjonali bbażati fuq is-silikon-u saru sinonimi ma 'teknoloġiji ġodda.
It-tags Popolari: karbur tas-silikon aħdar għall-elettronika u optoelettronika, iċ-Ċina karbur tas-silikon aħdar għall-manifatturi tal-elettronika u l-optoelettronika, fornituri
